Ганн диоды

Уикипедия — ашық энциклопедиясынан алынған мәлімет
Мұнда ауысу: шарлау, іздеу

Ганн диоды - біртекті шалаөткізгіш кристалыына күшті тұрақты электр орісін (шамамен бірнеше кВ/см) қосқанда пайда болатын теріс дифференциалдық кедергісі бар екі электродты (p-n өткелі жоқ) шалаөткізгіш аспап; іс-әрекеті Ганн эффектісіне негізделген. 1—100 ГГц жиіліктер диапазонда АЖЖ тербелістерін қоздыру және күшейтуге арналған. Ганн диоды шалаөткізгіш материалдың, әдетте, галлий арсенидінің миниатюрлы моншағы (ұзындығы 0,1мм) немесе p-n өткелі жоқ эпитаксиал үлдірі болып табылады, оның екі шықпасы (электроды) бар. [1]

Пайдаланған әдебиеттер[өңдеу]

  1. Қазақ тілі терминдерінің салалық. ғылыми түсіндірме сөздігі: Электроника, радиотехника және байланыс. — Алматы: "Мектеп" баспасы, 2007 ISBN 9965-36-448-6