Ганн диоды
Уикипедия — ашық энциклопедиясынан алынған мәлімет
Ганн диоды - біртекті шалаөткізгіш кристалыына күшті тұрақты электр орісін (шамамен бірнеше кВ/см) қосқанда пайда болатын теріс дифференциалдық кедергісі бар екі электродты (p-n өткелі жоқ) шалаөткізгіш аспап; іс-әрекеті Ганн эффектісіне негізделген. 1—100 ГГц жиіліктер диапазонда АЖЖ тербелістерін қоздыру және күшейтуге арналған. Ганн диоды шалаөткізгіш материалдың, әдетте, галлий арсенидінің миниатюрлы моншағы (ұзындығы 0,1мм) немесе p-n өткелі жоқ эпитаксиал үлдірі болып табылады, оның екі шықпасы (электроды) бар. [1]
Пайдаланған әдебиеттер [өңдеу]
- ↑ Қазақ тілі терминдерінің салалық. ғылыми түсіндірме сөздігі: Электроника, радиотехника және байланыс. — Алматы: "Мектеп" баспасы, 2007 ISBN 9965-36-448-6
 |
Бұл — электроника туралы мақаланың бастамасы. Бұл мақаланы толықтырып, дамыту арқылы, Уикипедияға көмектесе аласыз. |
 |
Бұл мақаланы Уикипедия сапа талаптарына лайықты болуы үшін уикилендіру қажет.
Мақаланы безендіру нұсқаулығына сәйкес көркемдеңіз.
|
 |
Бұл мақалада еш сурет жоқ.
Мақаланы жетілдіру үшін қажетті суретті енгізіп көмек беріңіз. Суретті қосқаннан кейін бұл үлгіні мақаладан аластаңыз.
Суретті мыннан табуға болады:
|
