Динамикалық оперативті есте сақтау құрылғысы
Уикипедия — ашық энциклопедиясынан алынған мәлімет
Динамикалық оперативті есте сақтау құрылғысы (ОЕСҚ) (DRAM (Dynamic Random Access Memory)) — өте аз уақыттық қолжетушілігі бар энергияға тәуелді оперативті жадының түрі. Өзінің жады атауын конденсатор түрінде көрсетілетін есте сақтау ұяшықтарының жұмыс істеу принципінен алады. Уақыт өтуімен ұяшықтың токқа ағып кетуі конденсаторды разрядтайды. Соның әсерінен онда сақталған ақпарат жоғалады, мұндай жады тек қана периодтық регенерациясы бар динамикалык режімде жұмыс істейді. [1]
Пайдаланған әдебиеттер [өңдеу]
- ↑ Қазақ тілі терминдерінің салалық. ғылыми түсіндірме сөздігі: Электроника, радиотехника және байланыс. — Алматы: "Мектеп" баспасы, 2007 ISBN 9965-36-448-6
 |
Бұл — электроника туралы мақаланың бастамасы. Бұл мақаланы толықтырып, дамыту арқылы, Уикипедияға көмектесе аласыз. |
 |
Бұл мақаланы Уикипедия сапа талаптарына лайықты болуы үшін уикилендіру қажет.
Мақаланы безендіру нұсқаулығына сәйкес көркемдеңіз.
|
 |
Бұл мақалада еш сурет жоқ.
Мақаланы жетілдіру үшін қажетті суретті енгізіп көмек беріңіз. Суретті қосқаннан кейін бұл үлгіні мақаладан аластаңыз.
Суретті мыннан табуға болады:
|
