АЖЖ транзистор

Уикипедия — ашық энциклопедиясынан алынған мәлімет
Навигацияға өту Іздеуге өту

АЖЖ транзистор - аса жоғары жиілікті ауқымда, 300 МГц-тен жоғары жиілікте жұмыс істеуге арналған транзистор. Ол өрістік АЖЖ және биполярлық АЖЖ деп бөлінеді. Биполярлық АЖЖ транзистор ерекшелігі — база аймағының ені кіші және оған жақын жатқан өте жоғары үлестік кедергісі бар коллектор аймағының болуы; база облысының легирленуінің жоғары деңгейі; эмиттер периметрінің оның ауданына қатынасының үлкен болуы. Осының нәтижесінде АЖЖ транзистордың 0,3—3 ТТц-те шуыл коэффициенті, 3—0,5 дБ-ге, ал 3—12 ТТц-те 2—6 дБ-ге жетеді, берілетін қуаты мен пайдалы әрекет коэффициенті өте үлкен (үздіксіз режімде 500МГц жиіліктегі, қуаты 50—100 Вт, ПӘК-ті 40-60%). Биполярлық АЖЖ транзистор — шуылы аз, қуаты төмен транзисторлар, орташа қуатты (0,05— 1 Вт) күшейткіш транзисторлар, генераторлық транзисторлар, сондай-ақ кең жолақты қуатты транзисторлар ретінде қолданылады. АЖЖ электроника АЖЖ жиіліктер ауқымыңда (шартты түрде 300 МГц-тен 3000 ТТц-ке дейін) жұмыс істеуге арналған электрондық аспаптарды жасау мен қолдану мәселелерімен айналысатын электрониканың саласы. АЖЖ электроникада АЖЖ тербелістерді алу, күшейту мен түрлендірудің негізгі функцияларын вакуумдық және шалаөткізгіштік электрониканың аспаптары атқарады.[1]

Дереккөздер[өңдеу | қайнарын өңдеу]

  1. Қазақ тілі терминдерінің салалық ғылыми түсіндірме сөздігі: Электроника, радиотехника және байланыс. — Алматы: «Мектеп» баспасы, 2007 ISBN 9965-36-448-6