Аморфты шалаөткізгіштер

Аморфты шалаөткізгіштер (Аморфные полупроводники) — шалаөткізгіштердің қасиеттеріне ие болатын аморфты заттар. Коваленттік аморфты шалаөткізгіштер — аморфты Ge, Si, Te(a-Ge, a-Si,a-Te), АIII BV ( GaAs, GaP) және AII BIV (CdS, CdSe) типті шалаөткізгіш қосылыстар. Шалаөткізгіш халькогенидті шынылар (As40 S60, Ge Se2 және басқа) және тотықты (V2O5 _ Ві2O3, _Р2O5 және басқа), сондай-ак қатты легирленген шалаөткізгіштер (Si:H, Si:F және басқалары) деп бөлінеді. Аморфты шалаөткізгіштер электр өрісі әсерінен (электрлік ажырап-қосылу құбылысы) жоғары Омды күйден төменгі Омды күйге өте алады, сондықтан оларды жады элементтерінің табалдырықтық ажыратқыштары ретінде пайдалануға мүмкіндік бар. Халькогенид шынылар спектрдің инфрақызыл облысы үшін мөлдір де, толқын ұзындықтарының белгілі бір аралығында максимуммен сипатталады, сондықтан оларды ақпаратты оптикалық (соның ішінде голографиялық) түрде жазатын фотосезімтал орта ретінде және сәуле-жолдар мен видикондар нысаналарына арналған материал ретінде қолданады. р-n өткелдерінен жасалған гидрогенизацияланған a-Si күн батареяларында қолданылады