Бетүстілік-тосқауылдық транзистор

Бетүстілік-тосқауылдық транзистор (Поверхностно-барьерный транзистор) — электрондық-кемтіктік өткелдері бетүстілік қабаттарда металл-шалаөткізгіш түйіспелерін құрумен жасалған биполярлық транзистор. Б-т.т-ды жасау үшін п типті өткізгіштігі бар шалаөткізгіш пластинаны (Ge-дан) қарама-қарсы бағытталған электролит ағынымен екі жағынан электрохимиялық ойыпөндеуден өткізеді. Осы ойып-өңдеумен алынған ойықтарға, электролит пен шалаөткізгіш пластина арасындағы кернеу полярлығын өзгертіп, металлы тұндырады (негізінен, Іпді), осының нөтижесінде екі р-п өткелі пайда болады. Б-т.т. жогары жиіліктік (шектік жиідігі 200 МГц- тен астам) транзистор болып табылады және оның рұқсатты коллекторлық кернеуінің мәндері (3— 5 В) мен коллекторлық өткелінің салыстырмалы аз кедергісі бар (150— 400 кОм).