Фотоөткізгіштік

Уикипедия — ашық энциклопедиясынан алынған мәлімет
Мұнда ауысу: шарлау, іздеу

Фотоөткізгіштікэлектрмагниттік сәуле әсерінен заттың электр өткізгіштігінің өзгеруі. Фотоөткізгіштік электрмагниттік сәуленің жұтылуы нәтижесінде жартылай өткізгіштердегі немесе диэлектриктердегі электрондардың энергетик. деңгейлерге тарала орналасуының өзгеруі салдарынан болады. Оның концентрациялық фотоөткізгіштік және қозғалғыштық фотоөткізгіштік деп аталатын түрлері бар. Мұның алғашқы түрінде түсірілген электрмагниттік сәуле әсерінен (электрондарды байланысқан күйден еркін күйге көшіру арқылы, валентті белдеуде кемтіктер санын, өткізгіштік белдеуде электрондар санын арттыру жолымен) заряд тасығыштардың (электрондар, кемтіктер) концентрациясы артады. Электрондар мен кемтіктердің қозғалғыштығы олардын энергиясына тәуелді болады. Ал сырттан түсірілген электрмагниттік сәуле бұл энергияның шамасын, яғни заряд тасығыштардың қозғалғыштығын өзгертеді. Мұның нәтижесінде заттың электр өткізгіштігі де (қозғалғыштық фотоөткізгіштік) өзгереді. Асқын өткізгіштерде байқалатын фотоөткізгіштік туннельдік эффектіге негізделіп түсіндіріледі. Фоторезисторлардың жұмыс әрекеті фотоөткізгіштік құбылысына негізделген. Техникада кеңінен қолданылыс тапқан Фотоөткізгіштік жартылай өткізгіштер: CTe, Sі, Se, CdS, CdSe, KnSb, CTaAs, PbS, т.б.

Сілтемелер[өңдеу]

"Қазақ Энциклопедиясы", 9 том