Ағындық транзистор
Ағындық транзистор (Лавинный транзистор) — ағындық тесіп өту кернеуіне жақын коллекторлық өткелдегі кернеулерде орнықты жұмыс істейтін биполярлық транзистор. Ағындық транзистор жасау үшін Ge және Si негізіндегі р+—р--типті немесе n+—n-- типті эпитаксиаль құрылымдар пайдаланылады; базалық аймақ диффузия әдісімен немесе имплантациямен орындалады. Ағындық транзистор қысқа импульстер генераторларында қолданылады, мұнда өрлеу уақыты 10−9с токтың қуатты импульстерін (оншақты А-ге дейін) алуға мүмкіндік бар. Осындай қайталау жиілігі 100 МГц-ке дейін қысқа импульстерді қоздыру мүмкіндігі aғындық транзисторды импульстердің сәйкес келу құрылғыларында және стробоскопиялық осциллографтарда пайдалануға әкеледі.[1]
Дереккөздер[өңдеу | қайнарын өңдеу]
- ↑ Қазақ тілі терминдерінің салалық ғылыми түсіндірме сөздігі: Электроника, радиотехника және байланыс. — Алматы: «Мектеп» баспасы, 2007 ISBN 9965-36-448-6
 | Бұл мақаланы Уикипедия сапа талаптарына лайықты болуы үшін уикилендіру қажет. |
 | Бұл мақалада еш сурет жоқ.
Мақаланы жетілдіру үшін қажетті суретті енгізіп көмек беріңіз. Суретті қосқаннан кейін бұл үлгіні мақаладан аластаңыз.
|
|
Бұл — электроника туралы мақаланың бастамасы. Бұл мақаланы толықтырып, дамыту арқылы, Уикипедияға көмектесе аласыз. |