Биполярлық қүрылым

Уикипедия — ашық энциклопедиясынан алынған мәлімет
Jump to navigation Jump to search

Биполярлық қүрылым (Ві — косарлы және polos — ось, косу) — шалаөткізгіш кристалында қалыптастырылған электрондық және кемтіктік өткізгіштігі бар облыстардың реттелген жиынтығы. Б.қ. негізінде биполярлық транзисторлар, басқарушы өткелі бар өрістік транзисторлар және т.б. шалаөткізгіш аспаптар (жекелеген түрде, өрі интегралдық схема құрамында) жасалынады. Б.қ. Si және Ge кристалдарында планарлық технология әдістерімен қалыптастырылады.[1]

Дереккөздер[өңдеу]

  1. Қазақ тілі терминдерінің салалық ғылыми түсіндірме сөздігі: Электроника, радиотехника және байланыс. — Алматы: «Мектеп» баспасы, 2007 ISBN 9965-36-448-6