Шалаөткізгіш лазер

Уикипедия — ашық энциклопедиясынан алынған мәлімет
Jump to navigation Jump to search

Шалаөткізгіш лазер (орыс. Полупроводниковый лазер) — белсеңді орта ретінде р-n өткелі бар шалаөткізгіш материалдар пайдаланылатын лазер. Сеулеленетін кванттық етулер валенттік және өткізгіштік аймақтар арасында пайда болады. Жарықты күшейтуге қажет толтыру инверсиясы негізгі емес заряд тасымалдаушылардың инжекциясы (инжекциялық Шалаөткізгіш лазер) арқылы пайда болады. Еріксіз сеулелену негізіндегі лазерлік генерация болу үшін, белсенді орта резонаторы электромагниттік еріспен езара ерекеттесу қажет. Ашық резонаторы жартылай мелдір айна болып табылатын Шалаөткізгіш лазердің жұмыс денесі кристаллдан жасалады. Негізгі емес заряд тасымалдаушылардың белсенді ортадағы тығыздығын ұлғайту үшін р — n өткелінің асты мен үстінен қосымша шалаөткізгіш материалдар ор- наластырады. Бұл белсенді аймақтан тасымалдаушылардың диффузиясына бөгет жасайтын потенциалдық тосқауылды қалыптастыруға мүмкіндік береді (гетероқұрылымы бар Шалаөткізгіш лазер).

Шалаөткізгіш лазердің артықшылықтары: толықтыру қарапайымдылығы, инжекция тогын езгертумен қарқындылықты модуляциялау мүмкіндігі, шапшаңдығы жоғары (~10ГГц-ке дейін), шағын өлшемді, талшықты сәуле таратқыштармен үйлесімділігі.[1]

Дереккөздер[өңдеу]

  1. Қазақ тілі терминдерінің салалық ғылыми түсіндірме сөздігі: Электроника, радиотехника және байланыс. — Алматы: «Мектеп» баспасы, 2007 жыл. ISBN 9965-36-448-6